Simulación Estática y Dinámica de un Modelo Físico del Diodo PiN en Carburo de Silicio
Este artículo presenta una propuesta de modelado y simulación del diodo PiN en Carburo de Silicio. La propuesta principal de modelado soluciona la ecuación de difusión ambipolar a partir de una aproximación empírica. Mediante la metodología utilizada se obtiene un conjunto de ecuaciones diferenciale...
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| Tipo de documento: | Artículo |
| Estado: | Published version |
| Fecha de publicación: | 2010 |
| País: | Chile |
| Institución: | Agencia Nacional de Investigación y Desarrollo |
| Repositorio: | SciELO Chile |
| Lenguaje: | Español |
| OAI Identifier: | oai:scielo:S0718-07642010000500007 |
| Acceso en línea: | http://www.scielo.cl/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0718-07642010000500007 |
| Nivel de acceso: | Acceso abierto |
| Palabra clave: | simulación modelado diodo-PiN carburo de silicio |
| Sumario: | Este artículo presenta una propuesta de modelado y simulación del diodo PiN en Carburo de Silicio. La propuesta principal de modelado soluciona la ecuación de difusión ambipolar a partir de una aproximación empírica. Mediante la metodología utilizada se obtiene un conjunto de ecuaciones diferenciales que modelan los principales fenómenos físicos asociados al dispositivo semiconductor de potencia. Las ecuaciones implementadas en Pspice modelan en una forma más real el comportamiento de la dinámica de cargas en la región N- de un diodo PiN en Carburo de Silicio para las fases estáticas y dinámicas. Para la comprobación y validación del modelo desarrollado, se compararon los resultados de simulación con datos experimentales reportados en la literatura, obteniéndose resultados adecuados para aplicaciones de electrónica de potencia. |
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