Impact of Gate Stack Layer Composition on Dynamic Threshold Voltage and Analog Parameters of Ge pMOSFETs
| Autor: | |
|---|---|
| Tipo de documento: | Artículo |
| Estado: | Published version |
| Fecha de publicación: | 2016 |
| País: | Brasil |
| Institución: | USP |
| Repositorio: | Repositório Institucional da USP (Biblioteca Digital da Produção Intelectual) |
| Lenguaje: | Inglés |
| OAI Identifier: | 002902343 |
| Acceso en línea: | https://doi.org/10.1149/06605.0309ecst |
| Nivel de acceso: | Acceso abierto |
| Palabra clave: | TRANSISTORES |
| Descripción no disponible. |