Indalecio Fernández, G., García Loureiro, A. J., Elmessary, M. A., Kalna, K., & Seoane Iglesias, N. (2018). Spatial Sensitivity of Silicon GAA Nanowire FETs Under Line Edge Roughness Variations. IEEE.
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Cita Chicago Style (17a ed.)
Indalecio Fernández, Guillermo, Antonio Jesús García Loureiro, Muhammad A. Elmessary, Karol Kalna, y Natalia Seoane Iglesias. Spatial Sensitivity of Silicon GAA Nanowire FETs Under Line Edge Roughness Variations. IEEE, 2018.
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Cita MLA (9a ed.)
Indalecio Fernández, Guillermo, et al. Spatial Sensitivity of Silicon GAA Nanowire FETs Under Line Edge Roughness Variations. IEEE, 2018.
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